Инвентаризация:3713

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 46W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A
  • Глубина 3500pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 5.6mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 80nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 15A/27A 8HSOP

Инвентаризация: 9456

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3348

MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 131A TO263

Инвентаризация: 0

Top