Инвентаризация:1775

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 72A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 27A, 18V
  • Материал феррулы 339W (Tc)
  • Барьерный тип 5.6V @ 13.3mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247N
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 1200 V
  • 131 nC @ 18 V
  • 2222 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3

Инвентаризация: 1732

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3

Инвентаризация: 1648

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 1130

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

Инвентаризация: 1546

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 842

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4793

1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 925

1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 914

Top