- Модель продукта TPD3215M
- Бренд Transphorm
- RoHS No
- Описание GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Through Hole
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Смываемый 470W
- Внутренняя отделка контактов 600V
- Толщина внешнего контактного покрытия 70A (Tc)
- Глубина 2260pF @ 100V
- Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 30A, 8V
- Тип симистора 28nC @ 8V
- Максимальное переменное напряжение Module
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Инвентаризация: 7
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Инвентаризация: 0
GANFET 2N-CH 100V 23A DIE
Инвентаризация: 4416
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Инвентаризация: 72544
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Инвентаризация: 263
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Инвентаризация: 570
GANFET 2N-CH 650V 30QFN
Инвентаризация: 57
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Инвентаризация: 324
GANFET 650V 13A 14QFN
Инвентаризация: 1479
