Инвентаризация:10516

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.9A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 295mOhm @ 4A, 10V
  • Материал феррулы 52W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 150 V
  • 42 nC @ 10 V
  • 1190 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 5973

MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP

Инвентаризация: 42

MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP

Инвентаризация: 16581

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

Инвентаризация: 6748

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

Инвентаризация: 12581

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK

Инвентаризация: 2840

Top