Инвентаризация:8248

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.9A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 295mOhm @ 4A, 10V
  • Материал феррулы 3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 150 V
  • 42 nC @ 10 V
  • 1190 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

Инвентаризация: 94740

MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP

Инвентаризация: 42

MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

Инвентаризация: 11515

MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK

Инвентаризация: 16597

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

Инвентаризация: 9016

MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8

Инвентаризация: 41854

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Инвентаризация: 7949

Top