- Модель продукта SISS5710DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 7.2A (Ta), 26.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 31.5mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 4.1W (Ta), 54.3W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 15 nC @ 10 V
- 770 pF @ 75 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Инвентаризация: 6335
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Инвентаризация: 9016
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Инвентаризация: 3964
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Инвентаризация: 349
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Инвентаризация: 27534
