Инвентаризация:2275

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1.2Ohm @ 2A, 20V
  • Материал феррулы 74W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 2mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +20V, -5V
  • 3300 V
  • 21 nC @ 20 V
  • 238 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

Инвентаризация: 3466

SIC MOSFET N-CH TO263-7

Инвентаризация: 639

3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

Инвентаризация: 521

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 182

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 274

MOSFET N-CH 2000V 1A TO263

Инвентаризация: 1152

MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 3000V 1A TO268

Инвентаризация: 0

MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24

Инвентаризация: 0

Top