Инвентаризация:4228

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.7W (Ta), 56W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Ta), 40A (Tc)
  • Глубина 1574pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 13.5nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN5060B-8

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50

Инвентаризация: 7440

MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50

Инвентаризация: 5000

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN

Инвентаризация: 6598

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN

Инвентаризация: 25000

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 17561

MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8

Инвентаризация: 4309

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT

Инвентаризация: 6000

MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT

Инвентаризация: 1678

MOSFET 2N-CH 60V 7A/30A 8DFN

Инвентаризация: 12314

Top