Инвентаризация:6500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
  • Глубина 864pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 19mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 17nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50

Инвентаризация: 7440

MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN

Инвентаризация: 2728

Top