- Модель продукта G20N06D52
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS No
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:8098
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 48W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Глубина 1326pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 20A, 10V
- Тип симистора 25nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (4.9x5.75)
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Инвентаризация: 5195
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Инвентаризация: 26886
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Инвентаризация: 17561
MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN
Инвентаризация: 2728
