Инвентаризация:2084

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 72A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 27A, 18V
  • Материал феррулы 339W
  • Барьерный тип 5.6V @ 13.3mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247N
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 1200 V
  • 131 nC @ 18 V
  • 2222 pF @ 800 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SICFET N-CH 650V 93A TO247N

Инвентаризация: 2246

SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

Инвентаризация: 1584

1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 443

SICFET N-CH 1200V 24A TO247N

Инвентаризация: 446

750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 0

750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4919

750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 3841

1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 354

Top