- Модель продукта SISF00DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8SCD Dual
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 69.4W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Глубина 2700pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 10A, 10V
- Тип симистора 53nC @ 10V
- Барьерный тип 2.1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 30V 17A 8DFN
Инвентаризация: 44966
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Инвентаризация: 14717
MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Инвентаризация: 8169
MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK
Инвентаризация: 24
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8
Инвентаризация: 5991
MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR
Инвентаризация: 900
