- Модель продукта SISF04DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:7491
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8SCD
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Ta), 108A (Tc)
- Глубина 2600pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 4mOhm @ 7A, 10V
- Тип симистора 60nC @ 10V
- Барьерный тип 2.3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8SCD
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 30V 25A 8LSON
Инвентаризация: 15881
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Инвентаризация: 53410
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12
Инвентаризация: 20515
MOSFET 2N-CH 30V 28A PPAK 1212-8
Инвентаризация: 11260
IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8X2SON
Инвентаризация: 6549
