Инвентаризация:12760

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8SCD
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 28A (Ta), 101A (Tc)
  • Глубина 2050pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 4.5mOhm @ 7A, 10V
  • Тип симистора 45nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8SCD

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12

Инвентаризация: 20515

MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8

Инвентаризация: 5991

Top