Инвентаризация:54910

Технические детали

  • Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
  • Материал феррулы 2.4W (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (2x2)
  • Длина ремня 1.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 14 nC @ 4.5 V
  • 1080 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

Инвентаризация: 14881

MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET

Инвентаризация: 5193

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

Инвентаризация: 22708

MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

Инвентаризация: 4404

MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET

Инвентаризация: 8442

MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8

Инвентаризация: 5991

Top