Инвентаризация:16381

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 1.2mOhm @ 32A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta), 195W (Tc)
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-VSON-CLIP (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 195 nC @ 10 V
  • 13900 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

Инвентаризация: 6771

DIODE ZENER 4.7V 600MW DO220AA

Инвентаризация: 3831

MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8

Инвентаризация: 5991

Top