Инвентаризация:6693

Технические детали

  • Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.6A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
  • Материал феррулы 2.4W (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (2x2)
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 14 nC @ 4.5 V
  • 1000 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

Инвентаризация: 53410

MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET

Инвентаризация: 30051

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88

Инвентаризация: 98617

Top