- Модель продукта FDMA291P
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6693
Технические детали
- Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.6A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
- Материал феррулы 2.4W (Ta)
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (2x2)
- Длина ремня 1.8V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 20 V
- 14 nC @ 4.5 V
- 1000 pF @ 10 V