Инвентаризация:31551

Технические детали

  • Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
  • Материал феррулы 2.4W (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (2x2)
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 12 V
  • 34 nC @ 4.5 V
  • 3957 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 12V 8A 6DFN

Инвентаризация: 2925

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Инвентаризация: 29668

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

Инвентаризация: 172969

Top