Инвентаризация:4425

Технические детали

  • Тип монтажа 6-UDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 21mOhm @ 8A, 4.5V
  • Материал феррулы 2.8W (Ta)
  • Барьерный тип 900mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-DFN (2x2)
  • Длина ремня 1.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 12 V
  • 18 nC @ 4.5 V
  • 1370 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN

Инвентаризация: 50971

MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN

Инвентаризация: 3950

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

Инвентаризация: 22708

MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET

Инвентаризация: 30051

PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M

Инвентаризация: 6000

Top