Инвентаризация:9942

Технические детали

  • Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
  • Материал феррулы 2.4W (Ta)
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (2x2)
  • Длина ремня 1.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 27 nC @ 4.5 V
  • 1480 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

Инвентаризация: 53410

MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET

Инвентаризация: 2680

Top