Инвентаризация:4180

Технические детали

  • Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 7.8A, 5V
  • Материал феррулы 2.4W (Ta)
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (2x2)
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 42 nC @ 5 V
  • 2015 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88

Инвентаризация: 69019

MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET

Инвентаризация: 24393

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

Инвентаризация: 1790

MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP

Инвентаризация: 4563

MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3

Инвентаризация: 33380

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8VSSOP

Инвентаризация: 54707

Top