Инвентаризация:25893

Технические детали

  • Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 35mOhm @ 6.8A, 10V
  • Материал феррулы 2.4W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (2x2)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 24 nC @ 10 V
  • 1070 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB

Инвентаризация: 8916

DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD523

Инвентаризация: 561

TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416

Инвентаризация: 995538

Top