Инвентаризация:6063

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.5A (Ta), 20A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 11.5A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta), 41W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-MLP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 91 nC @ 10 V
  • 3970 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

Инвентаризация: 12965

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6

Инвентаризация: 43635

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6

Инвентаризация: 14636

MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3

Инвентаризация: 33380

TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3

Инвентаризация: 63393

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Инвентаризация: 71057

Top