- Модель продукта BSZ086P03NS3EGATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:14465
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 13.5A (Ta), 40A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 8.6mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 2.1W (Ta), 69W (Tc)
- Барьерный тип 3.1V @ 105µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TSDSON-8
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±25V
- 30 V
- 57.5 nC @ 10 V
- 4785 pF @ 15 V