Инвентаризация:13462

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta), 40A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 2.1W (Ta), 52W (Tc)
  • Барьерный тип 3.1V @ 73µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSDSON-8
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 45 nC @ 10 V
  • 3360 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON

Инвентаризация: 54032

MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252

Инвентаризация: 9299

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8

Инвентаризация: 9255

Top