- Модель продукта SISF02DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1524
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8SCD
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 25V
- Толщина внешнего контактного покрытия 30.5A (Ta), 60A (Tc)
- Глубина 2650pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 7A, 10V
- Тип симистора 56nC @ 10V
- Барьерный тип 2.3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8SCD