Инвентаризация:2400

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 4.3W (Ta), 33W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 70V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
  • Глубина 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
  • Сопротивление при 25°C 16.1mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 20nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PowerPair® (3.3x3.3)

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 800V 5A TO220

Инвентаризация: 836

MOSFET 2N-CH 60V 14A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 12287

MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 836

Top