Инвентаризация:13787

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 4.3W (Ta), 33W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Ta), 38A (Tc)
  • Глубина 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 21nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PowerPair® (3.3x3.3)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33

Инвентаризация: 7890

MOSFET 2N-CH 60V 9A/38A 12WQFN

Инвентаризация: 2719

MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 900

Top