Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 4.3W (Ta), 33W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 17.2A (Ta), 48A (Tc), 16.9A (Ta), 47A (Tc)
  • Глубина 1180pF @ 20V, 1070pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 8.05mOhm @ 10A, 10V, 8.41mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 23nC @ 10V, 22nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PowerPair® (3.3x3.3)

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 800V 5A TO220

Инвентаризация: 836

MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 900

MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 836

Top