Инвентаризация:4219

Технические детали

  • Тип монтажа 12-PowerWQFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.7W (Ta), 26W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Ta), 38A (Tc)
  • Глубина 948pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 9mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 13.5nC @ 10V
  • Барьерный тип 2V @ 50µA
  • Максимальное переменное напряжение 12-WQFN (3.3x3.3)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 26A LFPAK56D

Инвентаризация: 5083

MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER

Инвентаризация: 120015

MOSFET 2N-CH 40V 15A/60A 12WQFN

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 60V 14A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 12287

Top