Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 12-PowerWQFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.7W (Ta), 26W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 15A (Ta), 60A (Tc)
  • Глубина 1100pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 4.5mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 18nC @ 10V
  • Барьерный тип 2V @ 50µA
  • Максимальное переменное напряжение 12-WQFN (3.3x3.3)

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3

Инвентаризация: 24243

MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF

Инвентаризация: 1888

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 450

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 876

MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F

Инвентаризация: 46915

MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK

Инвентаризация: 27308

Top