Инвентаризация:9390

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.9W (Ta), 16W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.2A (Ta)
  • Глубина 1635pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 8.2A, 10V
  • Тип симистора 24nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-Power33 (3x3)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33

Инвентаризация: 12070

MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6

Инвентаризация: 105735

MOSFET 50V 0.51A SOT23-6

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 60V 14A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 12287

Top