Инвентаризация:13570

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.9W
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7A
  • Глубина 720pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 7A, 10V
  • Тип симистора 11nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-Power33 (3x3)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 800V 5A TO220

Инвентаризация: 836

MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33

Инвентаризация: 18553

Top