Инвентаризация:9669

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.6W (Ta), 23W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
  • Глубина 1425pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 26.4mOhm @ 8A, 10V
  • Тип симистора 40nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212

Инвентаризация: 20908

MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12

Инвентаризация: 20515

MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 900

IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP

Инвентаризация: 3792

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL SOT5X3

Инвентаризация: 34762

Top