- Модель продукта SIS903DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:22408
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8 Dual
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.6W (Ta), 23W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
- Глубина 2565pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
- Тип симистора 42nC @ 10V
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8 Dual