Инвентаризация:5184

Технические детали

  • Тип монтажа 4-PowerTSFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 28A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 8.5A, 10V
  • Материал феррулы 169W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 850µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-VSON-4
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 650 V
  • 64 nC @ 10 V
  • 3020 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8

Инвентаризация: 11611

MOSFET HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 5100

MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON

Инвентаризация: 9312

MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON

Инвентаризация: 3000

MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF

Инвентаризация: 5653

MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT

Инвентаризация: 5553

Top