Инвентаризация:7053

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 69mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 2.8W (Ta), 189W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (8x8) HV
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 650 V
  • 110 nC @ 10 V
  • 4200 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Инвентаризация: 1985

MOSFET HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 5100

MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON

Инвентаризация: 10973

MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON

Инвентаризация: 3684

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8

Инвентаризация: 3107

Top