- Модель продукта IPT60R080G7XTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7153
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 9.7A, 10V
- Материал феррулы 167W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 490µA
- Максимальное переменное напряжение PG-HSOF-8-2
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 42 nC @ 10 V
- 1640 pF @ 400 V