Инвентаризация:10812

Технические детали

  • Тип монтажа 4-PowerTSFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 99mOhm @ 5.9A, 10V
  • Материал феррулы 128W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 590µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-VSON-4
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 650 V
  • 45 nC @ 10 V
  • 2140 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN

Инвентаризация: 6026

MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON

Инвентаризация: 3684

Top