Инвентаризация:19523

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13.4A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
  • Материал феррулы 5W (Tc)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 90 nC @ 8 V
  • 2380 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP

Инвентаризация: 37261

MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2

Инвентаризация: 16260

MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3

Инвентаризация: 86946

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Инвентаризация: 34628

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

Инвентаризация: 20124

MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 9582

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 16571

MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC

Инвентаризация: 7052

Top