Инвентаризация:18071

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 10A, 4.5V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 2.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 74 nC @ 4.5 V
  • 4951 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23

Инвентаризация: 396069

MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN

Инвентаризация: 444103

MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC

Инвентаризация: 10463

MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO

Инвентаризация: 18023

MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC

Инвентаризация: 7052

MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO

Инвентаризация: 1009

Top