- Модель продукта FDS6575
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:18071
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 10A, 4.5V
- Материал феррулы 2.5W (Ta)
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 2.5V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 20 V
- 74 nC @ 4.5 V
- 4951 pF @ 10 V