Инвентаризация:2509

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 26.6A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 6.6W (Tc)
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 2.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 190 nC @ 10 V
  • 4600 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC

Инвентаризация: 10463

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 16571

MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO

Инвентаризация: 9540

MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC

Инвентаризация: 7052

Top