- Модель продукта SI4477DY-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2509
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 26.6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
- Материал феррулы 3W (Ta), 6.6W (Tc)
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 2.5V, 4.5V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 190 nC @ 10 V
- 4600 pF @ 10 V