Инвентаризация:8552

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 15.4A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 9A, 4.5V
  • Материал феррулы 5W (Tc)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 99 nC @ 8 V
  • 3250 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 16571

MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO

Инвентаризация: 18023

Top