Инвентаризация:11082

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 8A, 4.5V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 2.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 36 nC @ 4.5 V
  • 2694 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

Инвентаризация: 1255

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

Инвентаризация: 20124

MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC

Инвентаризация: 2330

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC

Инвентаризация: 2173

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23

Инвентаризация: 553866

MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO

Инвентаризация: 18023

MOSFET P-CH 30V 29A 8SO

Инвентаризация: 99019

Top