- Модель продукта FDS6875
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:3830
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 900mW
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A
- Глубина 2250pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 6A, 4.5V
- Тип симистора 31nC @ 5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
IC MULTIVIBRATOR 8.1NS 16SOIC
Инвентаризация: 0
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Инвентаризация: 18975
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Инвентаризация: 0
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Инвентаризация: 3317
