Инвентаризация:20475

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 900mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.5A
  • Глубина 2130pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
  • Тип симистора 32nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO

Инвентаризация: 15142

MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 20736

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC

Инвентаризация: 7734

MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC

Инвентаризация: 3213

MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F

Инвентаризация: 14674

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO

Инвентаризация: 13201

Top