Инвентаризация:16642

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.4W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A
  • Глубина 800pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 7.7A, 10V
  • Тип симистора 10nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-DSO-8

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Инвентаризация: 19771

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

Инвентаризация: 11497

MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON

Инвентаризация: 89244

MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO

Инвентаризация: 21278

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

Инвентаризация: 5979

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Инвентаризация: 3203

Top