- Модель продукта FDS6912A
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:4703
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 900mW
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A
- Глубина 575pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 6A, 10V
- Тип симистора 8.1nC @ 5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Инвентаризация: 15142
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Инвентаризация: 39603
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Инвентаризация: 3388
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Инвентаризация: 15593
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Инвентаризация: 9769
