- Модель продукта FDS4935BZ
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:41103
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 900mW
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.9A
- Глубина 1360pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 6.9A, 10V
- Тип симистора 40nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Инвентаризация: 122831
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Инвентаризация: 3203
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
Инвентаризация: 1461
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Инвентаризация: 7182
