- Модель продукта FDS6930B
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:4888
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 900mW
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.5A
- Глубина 412pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 38mOhm @ 5.5A, 10V
- Тип симистора 3.8nC @ 5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Инвентаризация: 17211
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Инвентаризация: 3203
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Инвентаризация: 25331
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Инвентаризация: 9634
MOSFET 2N-CH 30V 5.9A 8SOP
Инвентаризация: 26795
